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電子束曝光是利用某些高分子聚合物對電子敏感而形成曝光圖形的，與光學(xué)曝光對應(yīng)，其特點(diǎn)是將聚焦電子束代替光照以實(shí)現(xiàn)抗蝕劑（光刻膠）的曝光（改性）。在實(shí)驗(yàn)室廣泛應(yīng)用的電子束曝光機(jī)為矢量掃描高斯型系統(tǒng)，即：電子束斑為高斯線型，工作時采用矢量掃描方式。電子束曝光無需掩膜，可實(shí)現(xiàn)低至10nm線寬圖形，是目前納米技術(shù)研究中非常重要的納米圖形生成手段。
Accelerating voltage： 25/50 kV
Minimum line width： 10 nm （50 kV?5th）
Overlay Accuracy： 40 nm
Field stitching Accuracy: 40 nm
Exposure range： 直徑75 mm
Scan speed：12 MHz to 250 Hz
把掩膜版上的圖形按照一定的比例縮小復(fù)制到涂布有光刻膠的晶圓上，分區(qū)域進(jìn)行步進(jìn)式曝光。本機(jī)臺可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圓高精度投影曝光，曝光精度可達(dá)500nm。
LENS DISTORTION：≤0.9μm
RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm
STEPPING ACCURACY：≤0.08μm
OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)
OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm
SUSSMA6光刻機(jī)是設(shè)計(jì)用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)，小批量生產(chǎn)的高分辨率光刻系統(tǒng)。該光刻機(jī)供了最好的基片適應(yīng)性，可夾持不同厚度不同形狀的晶片。同時標(biāo)準(zhǔn)尺寸基片最大直徑為150mm。處理最大厚度可達(dá)6mm的晶片。SUSS MA6提供了各種接觸式曝光程序。X-和Y-向位移精度在0.1μm以下。使用400nm的寬帶光源曝光波長在真空模式下分辨率為0.7μm。同時可以選用不同的對準(zhǔn)裝置，分離視場頂部對準(zhǔn)顯微鏡或視頻顯微鏡，BSA底面對準(zhǔn)顯微鏡對準(zhǔn)方式。是目前實(shí)驗(yàn)室光刻技術(shù)中最為常用和重要的光刻設(shè)備。
Wafer size： 2inch，4inch，6inch and un-normal small wafers
Exposure mode：（Vac, hard, soft, proximity）
Minimum line width：0.7μm（Vac）
Overlay Accuracy： 0.5μm
晶片鍵合機(jī)（SUSS CB6L）
晶圓鍵合介紹：晶圓鍵合技術(shù)是將兩片晶圓相互結(jié)合，對于某些鍵合是利用表面原子相互反應(yīng)，產(chǎn)生共價鍵，使兩者結(jié)為一體。也可以是利用中間介質(zhì)的粘合性使兩個片子相互結(jié)合。晶圓鍵合可以滿足微電子材料，光電材料及其納米等級微機(jī)電元件的制作和封裝需求，可結(jié)合不同晶格、不同種類的材料。在器件的物理特性，化學(xué)特性，電子特性都有非常廣闊的前景。SUSS CB6L鍵合機(jī)是設(shè)計(jì)用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)，小批量生產(chǎn)的晶圓級鍵合系統(tǒng)。CB6L鍵合機(jī)在工藝過程中對溫度和壓力可精確控制、實(shí)現(xiàn)動態(tài)降溫和快速升溫的功能、以及計(jì)算機(jī)控制的晶圓處理過程。該鍵合機(jī)可以實(shí)現(xiàn)陽極鍵合，共晶鍵合，熔融鍵合等等，可以實(shí)現(xiàn)真空和氮?dú)猸h(huán)境下鍵合。同時鍵合機(jī)還兼容使用SUSS MA/BA掩模對準(zhǔn)光刻機(jī)和開放式設(shè)計(jì)的夾具，實(shí)現(xiàn)對準(zhǔn)鍵合。
Wafer size： 4inch，6inch
Maximum temperature：500℃
Maximum pressure：4000mBar
Maximum voltage：-2000V
Ultimate pressure：1×10-4 mBar
Overlay error：±5μm
主要功能是旋轉(zhuǎn)半自動顯影，操作方便，性能可靠。
Wafer size：2inch，4inch，6inch
Rotate speed accuracy：±2rpm
Temperature accuracy：0.1℃
Maximum temperature：300℃
Temperature uniformity：小于±0.5℃/300mm
激光劃片是利用高能量激光在樣品表面燒灼出一定深度的溝道，實(shí)現(xiàn)樣品表面的切割，即解理管芯的目的。Titan激光劃片機(jī)為355nm燒蝕加工系統(tǒng)，主要針對GaN、Sapphire材料：可實(shí)現(xiàn)低至5μm切割線寬，和標(biāo)準(zhǔn)LED 2inch片 5wph的劃切速度，是目前半導(dǎo)體封裝工藝的主流切割手段。
According to 350μm×350μm chips，2inch wafer
Capacity： 5 wafers/hour
Scribed time/wafer： ≤11min
Aligned time/wafer： ≤60 s
Scribed Depth： 20μm±10%
Scribed width： 5.0μm (typical)
Stage route： 100 mm×100 mm
Coding resolution： 0.1μm
Horizontal precision： 1.0μm
Precision： 1.5μm(50mm),＜ 5μm(100mm)
Repeat precision：1μm
