硅片標準清洗，放置200°電熱板15min，烘干。
將硅片放置于揮發缸中，滴入1~2滴修飾試劑HMDS，揮發處理時間≥3min；
將光刻膠倒在處理后的硅片上（注意避免氣泡存在）。按照預定圖形高度，設定勻膠機轉速。勻膠后靜置1~2min。
根據光刻膠性能確定前烘時間，進行前烘處理；根據曝光機功率及光刻膠所需曝光計量設定曝光時間，進行曝光；曝光后，取出模板放置烘膠臺，根據光刻膠性能確定中烘時間，進行中烘處理。
冷卻后放入顯影液中；具體顯影時間由顯影效果確定，顯影2~3次，通風廚內氮氣吹干。
將硅片放置于揮發缸中，滴入1~2滴修飾試劑tmcs，揮發處理。模具加工完成。
注：上文中所需相關儀器：電熱板、勻膠機、烘膠臺；耗材：光刻膠、顯影液、硅片
