對(duì)于普通人來說，光刻機(jī)或許是一個(gè)陌生的名詞，但它卻是制造大規(guī)模集成電路的核心裝備，每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過光刻技術(shù)的鍛造。

   光刻機(jī)，又名掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，光刻系統(tǒng)等。其有”接觸式曝光“、”接近式曝光“、”投影式曝光“三種曝光模式。

   對(duì)于光刻機(jī)三種曝光模式，我們都有所耳聞，但是對(duì)于投影式曝光，我們了解的甚少。

   投影式曝光是指，在掩膜板與光刻膠之間使用光學(xué)系統(tǒng)聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會(huì)以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。其優(yōu)點(diǎn)是：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影響減小。

   投影式曝光目前分為三種，分別是”掃描投影曝光“、”步進(jìn)重復(fù)投影曝光“、”掃描步進(jìn)投影曝光“。

     1、掃描投影曝光，應(yīng)用于70年代末～80年代初，〉1μm工藝；掩膜板1：1，全尺寸；

     2、步進(jìn)重復(fù)投影曝光，應(yīng)用于80年代末～90年代，0.35μm（I line）～0.25μm（DUV）。掩膜板縮小比例（4：1），曝光區(qū)域22×22mm（一次曝光所能覆蓋的區(qū)域）。增加了棱鏡系統(tǒng)的制作難度。

     3、掃描步進(jìn)投影曝光，應(yīng)用于90年代末～至今，用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光區(qū)：26×33mm。優(yōu)點(diǎn)：增大了每次曝光的視場(chǎng)；提供硅片表面不平整的補(bǔ)償；提高整個(gè)硅片的尺寸均勻性。但是，同時(shí)因?yàn)樾枰聪蜻\(yùn)動(dòng)，增加了機(jī)械系統(tǒng)的精度要求。