光刻膠又稱為光致抗飾劑，它是一種對光敏感的有機化合物，受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發生變化。主要作用是將掩膜板上的圖形轉移到晶圓表面頂層的光刻膠中；以及在后續工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。

       光刻膠的成分有樹脂、感光劑、溶劑、添加劑。

主要的技術參數有：分辨率、對比度、敏感度、粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力。

       光刻膠分為正膠和負膠，正膠分辨率高，對比度好。而負膠擁有良好的粘附能力和抗刻蝕能力、以及感光快。目前主要應用于模擬半導體、發光二極管、微電子機械系統、太陽能光伏、微流道和生物芯片、光電子器件以及封裝。

       光刻工藝流程：前處理——》涂膠——》軟烘烤——》對準曝光——》PEB——》顯影——》硬烘烤——》校驗。

       目前整體來看，我國進口光刻膠占據國內87%的市場份額，自給率低。而國內光刻膠受益于半導體產業轉移及國內電子化學品的迅速發展，需求增速遠高于全球，國內從事光刻膠研發和生產的單位主要有蘇州汶顥芯片科技有限公司和上海汶昌芯片科技有限公司。這些企業將有望率先實現技術突破，抓住歷史發展機遇。