絕緣體上的硅SOI(silicon-on-insulator)指的是絕緣層上的硅。它是一種具有獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結構的新型硅基半導體材料。它通過絕緣埋層（通常為SiO2）實現了器件和襯底的全介質隔離，在器件性能上具有以下優點：

       1、減小了寄生電容，提高了運行速度。與體硅材料相比，SOI器件的運行速度提高了20-35%；

       2、具有更低的功耗。由于減少了寄生電容，降低了漏電，SOI 器件功耗可減小35-70%；

       3、消除了閂鎖效應；

       4、抑制了襯底的脈沖電流干擾，減少了軟錯誤的發生；

       5、與現有硅工藝兼容，可減少13-20%的工序。

       SOI在高性能超大規模集成電路、高速存貯設備、低功耗電路、高溫傳感器、軍用抗輻照器件、移動通訊系統、光電子集成器件以及MEMS(微機電)等領域具有極其廣闊的應用前景，被國際上公認為“21 世紀的硅集成電路技術。”