三氧化二鋁陶瓷：
——占陶瓷基片材料的90%；
——熱導率不足以滿足大功率集成電路應用。

氮化鋁陶瓷：
——高熱導率（為三氧化二鋁5倍以上），適用于高功率；
——制備工藝復雜，成本高。

氧化鈹陶瓷：
——高導熱、理想高頻特性（適合上天電子設備）；
——工藝毒性，成本高。