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行業(yè)資訊

掩膜的制備以及對掩膜的要求

光刻掩模的基本原理是圖形區(qū)和非圖形區(qū)對光線的吸收和透射能力不同。通過曝光成像的原理，將掩膜上的圖形轉移到基片光膠上。

掩膜過程

對掩模的要求

掩模的圖形區(qū)和非圖形區(qū)對光線的吸收或透射的反差要盡量大
掩模的缺陷如針孔、斷條、橋連、臟點和線條的凹凸等要盡量少
掩模的圖形精度要高

掩模制備

通常的用于微電子行業(yè)的掩膜材料有鍍鉻玻璃板或鍍鉻石英板，在其表面涂上體層光敏感的光膠。在利用計算機軟件繪制圖形，再圖形發(fā)生器進行光刻，便在掩膜材料上得到圖形。

光刻掩膜

TSP Sheet Exposure System

標簽: 制備光刻

點擊次數：更新時間：2014-08-11 13:24:56 【打印此頁】【關閉】

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