氧化
氧化是將硅片在氧化環(huán)境中加熱到900~1100℃的高溫，在硅的表面上生長出的一層二氧化硅。
根據(jù)所用氧化劑的不同，氧化又可分為
其化學反應方程式分別為：
Si+2H2O→SiO2+2H2 水汽氧化
Si+O2→SiO2 干氧氧化
化學氣相沉積
化學氣相沉積是氣態(tài)反應物在反應器中通過特定的化學反應，使反應產物沉積在加熱基片上鍍膜過程的總稱。
分為常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積(LPCVD)和等離子體化學氣相沉積(PECVD)。
一般而言常用化學氣相沉積法制備多晶硅、二氧化硅和氮化硅薄膜。
蒸發(fā)
薄膜制備工藝的蒸發(fā)是在真空環(huán)境中加熱金、鉻、鋁、硅等單質或三氧化二鋁、二氧化硅等化合物，使它們氣化為氣態(tài)原子或分子沉積在基片表面形成薄膜。
濺射
濺射鍍膜的原理是在真空室內使微量氬氣或氦氣電離，電離后的離子在電場的作用下向陰極靶加速運動并轟擊靶，將靶材料的原子或分子濺射出來，在作為陽極的基片上形成薄膜。