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解析投影式光刻機(jī)曝光分類備，每顆芯片誕生之初，都要經(jīng)過光刻技術(shù)的鍛造。? ?光刻機(jī)，又名掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，光刻系統(tǒng)等。其有”接觸式曝光“、”接近式曝光“、”投影式曝光“三種曝...2016-08-17 16:46:37
使用光刻機(jī)曝光的三種方式接觸式曝光接觸式曝光是將掩膜與待加工基片的光膠層直接接觸進(jìn)行的曝光。掩膜和基片通過機(jī)械裝置壓緊或通過真空吸住等方法實現(xiàn)兩者緊密接觸。優(yōu)...2014-08-01 09:22:31
光刻膠及光刻工藝流程ist簡稱PR）又稱光致抗蝕劑，它是一種對光敏感的有機(jī)化合物，它受紫外光曝光后，在顯影液的溶解度會發(fā)生變化。①光刻膠作用：將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓...2017-08-23 10:25:14
光刻膠使用過程中的注意事項障等特殊情況下，涂完光刻膠的產(chǎn)品需要保留，保留的時間一般不超過8 小時，曝光前如已被感（即膠膜已失效），不能作為正品，需返工處理。??5、前烘溫度...2016-10-26 08:55:21
光刻膠及光刻工藝流程? ? ?光刻膠又稱為光致抗飾劑，它是一種對光敏感的有機(jī)化合物，受紫外光曝光后，在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。主要作用是將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表...2016-08-23 16:51:39
微流控芯片的制作與修飾用激光直接在聚合物或玻璃上加熱形成微結(jié)構(gòu)所需儀器設(shè)備光刻機(jī):光刻機(jī)/紫外曝光機(jī)（Mask Aligner) 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)...2016-06-14 14:42:59
單層模具加工工藝在）。按照預(yù)定圖形高度，設(shè)定勻膠機(jī)轉(zhuǎn)速。勻膠后靜置1~2min。四、硅片曝光根據(jù)光刻膠性能確定前烘時間，進(jìn)行前烘處理；根據(jù)曝光機(jī)功率及光刻膠所需曝光...2016-04-25 16:50:48
URE-2000S/25 型單、雙面 ? ?1．技術(shù)參數(shù) 曝光面積：100 mm×100mm（可升級為150 mm×150mm）分辨力：1.2mm（膠厚2mm的正膠）對準(zhǔn)精度：±3mm（雙面，片...2016-04-15 10:18:41
URE-2000A型光刻機(jī) ?URE-2000A型光刻機(jī) ◆ 曝光面積：150mm×150mm ◆ 分辨力：0.8-1μm（膠厚2μm的正膠） ◆ 對準(zhǔn)精度：0.6μm ◆ 掩模樣片整體運動范圍：X...2016-04-15 09:09:37
URE-2000S/A型單、雙面光刻機(jī)(厚膠型）URE-2000S/A 型單、雙面 ? ◆ 曝光面積： 1 5 0 mm× 1 5 0 m m ◆ 分辨力： 1 μm（膠厚2 m 的正膠） ◆ 對準(zhǔn)精度： 3 μm（雙面, 片厚...2016-04-15 09:08:31

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